logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
απόσπασμα

GC15MPS12-220

Λεπτομέρειες προιόντος

Όροι πληρωμής & ναυτιλίας

Περιγραφή: ΔΙΟΔΟΣ SIL CARB 1.2KV 82A TO220-2

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Διοί Διορθωτικά Μοναδικές διόδους
κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τρέχων - Αντίστροφη διαρροή @ Vr:
14 μA @ 1200 V
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από την τρύπα
Η τάση - προς τα εμπρός (Vf) (μέγιστη):
10,8 V @ 15 A
Πακέτο:
Τύπος
Σειρά:
SiC Schottky MPSTM
Δυνατότητα @ Vr, F:
1089pF @ 1V, 1MHz
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
ΤΟ-220-2
Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης (trr):
0 σ
Δρ.:
GeneSiC Semiconductor
Τεχνολογία:
SIC (καρβίδιο του πυριτίου) Schottky
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεσμος:
-55°C ~ 175°C
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-220-2
Η τάση - αντίστροφη συνεχής (Vr) (μέγιστη):
1200 V
Σήμερα - Μέσος όρος διορθωμένος (ΙΟ):
82A
Ταχύτητα:
Χωρίς χρόνο ανάκτησης > 500mA (Io)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
GC15MPS12
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Διοί Διορθωτικά Μοναδικές διόδους
κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τρέχων - Αντίστροφη διαρροή @ Vr:
14 μA @ 1200 V
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από την τρύπα
Η τάση - προς τα εμπρός (Vf) (μέγιστη):
10,8 V @ 15 A
Πακέτο:
Τύπος
Σειρά:
SiC Schottky MPSTM
Δυνατότητα @ Vr, F:
1089pF @ 1V, 1MHz
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
ΤΟ-220-2
Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης (trr):
0 σ
Δρ.:
GeneSiC Semiconductor
Τεχνολογία:
SIC (καρβίδιο του πυριτίου) Schottky
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεσμος:
-55°C ~ 175°C
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-220-2
Η τάση - αντίστροφη συνεχής (Vr) (μέγιστη):
1200 V
Σήμερα - Μέσος όρος διορθωμένος (ΙΟ):
82A
Ταχύτητα:
Χωρίς χρόνο ανάκτησης > 500mA (Io)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
GC15MPS12
GC15MPS12-220
Δίοδος 1200 V 82A μέσα από τρύπα TO-220-2
Παρόμοια προϊόντα
Πάρτε την καλύτερη τιμή
Πάρτε την καλύτερη τιμή