logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
greek
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
απόσπασμα

GC50MPS06-247

Λεπτομέρειες προιόντος

Όροι πληρωμής & ναυτιλίας

Περιγραφή: ΔΙΟΔΗ SIL CARB 650V 50A TO247-2

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Διοί Διορθωτικά Μοναδικές διόδους
κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεσμος:
175°C (Max)
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από την τρύπα
Πακέτο:
Τύπος
Σειρά:
SiC Schottky MPSTM
Δυνατότητα @ Vr, F:
-
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
ΤΟ-247-2
Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης (trr):
0 σ
Δρ.:
GeneSiC Semiconductor
Τεχνολογία:
SIC (καρβίδιο του πυριτίου) Schottky
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-247-2
Η τάση - αντίστροφη συνεχής (Vr) (μέγιστη):
650 Β
Σήμερα - Μέσος όρος διορθωμένος (ΙΟ):
50Α
Ταχύτητα:
Χωρίς χρόνο ανάκτησης > 500mA (Io)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
GC50MPS06
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Διοί Διορθωτικά Μοναδικές διόδους
κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεσμος:
175°C (Max)
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από την τρύπα
Πακέτο:
Τύπος
Σειρά:
SiC Schottky MPSTM
Δυνατότητα @ Vr, F:
-
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
ΤΟ-247-2
Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης (trr):
0 σ
Δρ.:
GeneSiC Semiconductor
Τεχνολογία:
SIC (καρβίδιο του πυριτίου) Schottky
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-247-2
Η τάση - αντίστροφη συνεχής (Vr) (μέγιστη):
650 Β
Σήμερα - Μέσος όρος διορθωμένος (ΙΟ):
50Α
Ταχύτητα:
Χωρίς χρόνο ανάκτησης > 500mA (Io)
Αριθμός βασικού προϊόντος:
GC50MPS06
GC50MPS06-247
Δίοδος 650 V 50A μέσα από τρύπα TO-247-2
Παρόμοια προϊόντα
TSV6291ΑICT Ενεργειακός ενισχυτής IC Βίντεο
Πάρτε την καλύτερη τιμή
TSV6290AICT Ενεργειακός ενισχυτής IC Βίντεο
Πάρτε την καλύτερη τιμή
TSV620Ενεργειακοί ενισχυτές ΤΠΕ Βίντεο
Πάρτε την καλύτερη τιμή
LMC6482IMMX Επιχειρησιακοί ενισχυτές Βίντεο
Πάρτε την καλύτερη τιμή
TSV522IST Λειτουργικοί ενισχυτές Βίντεο
Πάρτε την καλύτερη τιμή