logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
απόσπασμα

GD30MPS12H

Λεπτομέρειες προιόντος

Όροι πληρωμής & ναυτιλίας

Περιγραφή: ΔΙΟΔΟΣ SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Διοί Διορθωτικά Μοναδικές διόδους
κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τρέχων - Αντίστροφη διαρροή @ Vr:
20 μA @ 1200 V
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από την τρύπα
Η τάση - προς τα εμπρός (Vf) (μέγιστη):
10,8 V @ 30 A
Πακέτο:
Τύπος
Σειρά:
SiC Schottky MPSTM
Δυνατότητα @ Vr, F:
1101pF @ 1V, 1MHz
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
ΤΟ-247-2
Δρ.:
GeneSiC Semiconductor
Τεχνολογία:
SIC (καρβίδιο του πυριτίου) Schottky
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεσμος:
-55°C ~ 175°C
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-247-2
Η τάση - αντίστροφη συνεχής (Vr) (μέγιστη):
1200 V
Σήμερα - Μέσος όρος διορθωμένος (ΙΟ):
55A
Ταχύτητα:
Ταχεία ανάκτηση =< 500ns, > 200mA (Io)
Κατηγορία:
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Διοί Διορθωτικά Μοναδικές διόδους
κατάσταση του προϊόντος:
Ενεργός
Τρέχων - Αντίστροφη διαρροή @ Vr:
20 μA @ 1200 V
Τύπος στερέωσης:
Μέσα από την τρύπα
Η τάση - προς τα εμπρός (Vf) (μέγιστη):
10,8 V @ 30 A
Πακέτο:
Τύπος
Σειρά:
SiC Schottky MPSTM
Δυνατότητα @ Vr, F:
1101pF @ 1V, 1MHz
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή:
ΤΟ-247-2
Δρ.:
GeneSiC Semiconductor
Τεχνολογία:
SIC (καρβίδιο του πυριτίου) Schottky
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεσμος:
-55°C ~ 175°C
Πακέτο / Κουτί:
ΤΟ-247-2
Η τάση - αντίστροφη συνεχής (Vr) (μέγιστη):
1200 V
Σήμερα - Μέσος όρος διορθωμένος (ΙΟ):
55A
Ταχύτητα:
Ταχεία ανάκτηση =< 500ns, > 200mA (Io)
GD30MPS12H
Δίοδος 1200 V 55A μέσω τρύπας TO-247-2
Παρόμοια προϊόντα
Πάρτε την καλύτερη τιμή
Πάρτε την καλύτερη τιμή