Επισημαίνω:
Τύπος: |
MOSFET, IGBT τρανζίστορ |
Θερμοκρασία λειτουργίας: |
-55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Σειρά: |
Μικροοικονομική υποστήριξη |
Τύπος στερέωσης: |
/, Η επιφάνεια τοποθετεί |
Περιγραφή: |
/ |
Δ/Κ: |
20+ |
Τύπος συσκευασίας: |
Επεξεργασία επιφανείας |
Εφαρμογή: |
- |
Τύπος προμηθευτή: |
Άλλα |
Διασταυρούμενες αναφορές: |
Τύπος |
Μέσα διαθέσιμα: |
Άλλα |
Μάρκα: |
MOS |
Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο): |
- |
Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη): |
- |
Vce κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: |
- |
Τρέχων - Περιορισμός συλλέκτη (μέγιστο): |
- |
Διορθωτικό μέτρο για την παρακολούθηση των διακυμάνσεων: |
- |
Δύναμη - Max: |
- |
Συχνότητα - Μεταβατική περίοδος: |
- |
Πακέτο / Κουτί: |
/ |
Αντίσταση - Βάση (R1): |
- |
Αντίσταση - βάση εκδότη (R2): |
- |
Τύπος FET: |
- |
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: |
Τύπος |
Τεχνική μέθοδος: |
- |
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: |
- |
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs: |
- |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
- |
Τεχνική διάταξη: |
- |
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: |
- |
Συχνότητα: |
- |
Διορισμός ρεύματος (άμπερες): |
- |
Αριθμός θορύβου: |
- |
Δύναμη - Απόδοση: |
- |
Τεχνική διάταξη: |
- |
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): |
- |
Vgs (μέγιστο): |
- |
Τύπος IGBT: |
- |
Διαμόρφωση: |
Μονό |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
- |
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce: |
- |
Εισαγωγή: |
- |
Θερμική αντίσταση NTC: |
- |
Τάση - διακοπή (Β (BR) GSS): |
- |
Τρέχων - αγωγός (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
- |
Τρέχων αγωγός (ταυτότητα) - Max: |
- |
Τάση - ταυτότητα διακοπών (VGS μακριά) @: |
- |
Αντίσταση - RDS (επάνω): |
- |
Τάση: |
- |
Τεχνολογία: |
- |
Τάση - που αντισταθμίζεται (VT): |
- |
Τρέχων - πύλη στη διαρροή ανόδων (Igao): |
- |
Τρέχων - κοιλάδα (iv): |
- |
Τρέχων - αιχμή: |
- |
Εφαρμογές: |
- |
Τύπος τρανζίστορα: |
Τρανζίστορα ισχύος mrf150 rf |
Συσκευή: |
Καρτόνι με κυλίνδρους |
Λιμάνι: |
Σενζέν |
RJP63K2 Ενσωματωμένο κύκλωμα Πλάσμα Συχνά χρησιμοποιούμενο σωλήνα πεδίου TO-263 Νέα ηλεκτρονικά εξαρτήματα
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!