Επισημαίνω:
Τύπος: |
Τρανζίστορα MOS, Τρανζίστορα IGBT |
Θερμοκρασία λειτουργίας: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Σειρά: |
/ |
Τύπος στερέωσης: |
Επεξεργασία επιφανείας |
Περιγραφή: |
/ |
D/C: |
22+ |
Τύπος συσκευασίας: |
Μέθυσος-223-3 |
Εφαρμογή: |
Διόδοι - Διορθωτές |
Τύπος προμηθευτή: |
Άλλα |
Παραπομπή: |
Τύπος |
Μέσα διαθέσιμα: |
Άλλα |
Ετικέτα: |
MOSFET SOT-223-3 |
Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max): |
, |
Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, ολοκληρωμένο κύκλωμα: |
, |
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ΣΥΝΕΧΟΥΣ τρέχον κέρδους (hFE) (λ.) @, Vce: |
, |
Πακέτο / Κουτί: |
Μέθυσος-223 |
Αντίσταση - Βάση (R1): |
, |
Αντιστάτης - βάση εκπομπών (R2): |
, |
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: |
/ |
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss): |
, |
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C: |
, |
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: |
, |
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @: |
/ |
Τεχνική διάταξη: |
, |
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds: |
, |
Συχνότητα: |
, |
Τρέχουσα εκτίμηση (Amps): |
, |
Αριθμός θορύβου: |
, |
Δύναμη - παραγωγή: |
, |
Τεχνική διάταξη: |
, |
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): |
4.5V, 10V |
Vgs (Max): |
±20V |
Τύπος IGBT: |
, |
Διαμόρφωση: |
/ |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
, |
Ικανότητα εισαγωγής (Cies) @ Vce: |
, |
Εισαγωγή: |
, |
Θερμική αντίσταση NTC: |
, |
Τάση - διακοπή (Β (BR) GSS): |
, |
Τρέχων - αγωγός (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Τρέχων αγωγός (ταυτότητα) - Max: |
, |
Τάση - ταυτότητα διακοπών (VGS μακριά) @: |
, |
Αντίσταση - RDS (επάνω): |
, |
Τετάρτη: |
, |
Τάση - παραγωγή: |
, |
Τάση - που αντισταθμίζεται (VT): |
, |
Τρέχων - πύλη στη διαρροή ανόδων (Igao): |
, |
Τρέχων - κοιλάδα (iv): |
, |
Τρέχων - αιχμή: |
, |
Εφαρμογές: |
, |
Τύπος κρυσταλλολυχνιών: |
Τρανζίστορα ισχύος mrf150 rf |
Λιμάνι: |
Σενζέν |
TSM950N10CW RPG MOS Διαχείριση ισχύος IC Τσιπάκια Mosfet SOT-223-3 TSM950N10CW
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!