Επισημαίνω:
Τύπος: |
JFET, IGBT τρανζίστορ |
Θερμοκρασία λειτουργίας: |
/ |
Σειρά: |
/ |
Τύπος στερέωσης: |
/ |
Περιγραφή: |
/ |
D/C: |
, |
Τύπος συσκευασίας: |
Επεξεργασία επιφανείας |
Εφαρμογή: |
Διόδοι ευθυγραμμιστή ταχείας ανάκτησης |
Τύπος προμηθευτή: |
Άλλα |
Παραπομπή: |
Τύπος |
Μέσα διαθέσιμα: |
Άλλα |
Ετικέτα: |
/ |
Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max): |
/ |
Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max): |
/ |
Vce κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: |
/ |
Τρέχων - διακοπή συλλεκτών (Max): |
/ |
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ΣΥΝΕΧΟΥΣ τρέχον κέρδους (hFE) (λ.) @, Vce: |
/ |
Δύναμη - Max: |
το /// |
Συχνότητα - μετάβαση: |
/ |
Πακέτο / Κουτί: |
/ |
Αντιστάτης - βάση (R1): |
/ |
Αντιστάτης - βάση εκπομπών (R2): |
/ |
Τύπος FET: |
/ |
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: |
/ |
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss): |
/ |
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: |
/ |
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: |
/ |
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @: |
/ |
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs: |
/ |
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds: |
/ |
Συχνότητα: |
/ |
Τρέχουσα εκτίμηση (Amps): |
/ |
Αριθμός θορύβου: |
/ |
Δύναμη - Απόδοση: |
/ |
- Που εκτιμάται τάση: |
το // |
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): |
το // |
Vgs (Max): |
/ |
Τύπος IGBT: |
/ |
Διαμόρφωση: |
/ |
Vce (επάνω) (Max) @ Vge, ολοκληρωμένο κύκλωμα: |
/ |
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce: |
/ |
Εισαγωγή: |
/ |
Θερμική αντίσταση NTC: |
/ |
Τάση - διακοπή (Β (BR) GSS): |
/ |
Τρέχων - αγωγός (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Τρέχων αγωγός (ταυτότητα) - Max: |
/ |
Τάση - ταυτότητα διακοπών (VGS μακριά) @: |
/ |
Αντίσταση - RDS (επάνω): |
/ |
Τετάρτη: |
/ |
Τάση - παραγωγή: |
/ |
Τάση - που αντισταθμίζεται (VT): |
/ |
Τρέχων - πύλη στη διαρροή ανόδων (Igao): |
/ |
Τρέχων - κοιλάδα (iv): |
/ |
Τρέχων - αιχμή: |
/ |
Εφαρμογές: |
/ |
Τύπος κρυσταλλολυχνιών: |
Τρανζίστορα ισχύος mrf150 rf |
Λιμάνι: |
Σενζέν |
S3A S3B S3M SMC 1N5408 3A 1000V DO-214AB Smd Διοδιαστρέφτης Ηλεκτρονικά εξαρτήματα
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!