Επισημαίνω:
Τύπος: |
Άλλα, Τρανζίστορα διπολικής διασύνδεσης, Τρανζίστορα IGBT |
Θερμοκρασία λειτουργίας: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Σειρά: |
/ |
Τύπος στερέωσης: |
Επεξεργασία επιφανείας |
Περιγραφή: |
/ |
D/C: |
/ |
Τύπος συσκευασίας: |
Επεξεργασία επιφανείας |
Εφαρμογή: |
/ |
Τύπος προμηθευτή: |
Άλλα |
Παραπομπή: |
Τύπος |
Μέσα διαθέσιμα: |
Άλλα |
Ετικέτα: |
Ειδικότερα, η μέθοδος αυτή δεν μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την παραγωγή ηλεκτρικών συσσωρευτών. |
Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max): |
/ |
Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max): |
/ |
Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, ολοκληρωμένο κύκλωμα: |
/ |
Τρέχων - διακοπή συλλεκτών (Max): |
/ |
Διορθωτικό μέτρο για την παρακολούθηση των διακυμάνσεων: |
/ |
Δύναμη - Max: |
/ |
Συχνότητα - μετάβαση: |
/ |
Πακέτο / Κουτί: |
-236-3, SC-59, ΜΈΘΥΣΟΣ-23-3 |
Αντιστάτης - βάση (R1): |
/ |
Αντιστάτης - βάση εκπομπών (R2): |
/ |
Τύπος FET: |
N-Channel |
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: |
/ |
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss): |
30V |
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C: |
4A (TA) |
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: |
55mOhm @ 4A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
1.4V @ 250UA |
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs: |
4.34nC @ 4,5V |
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds: |
390pF @ 15V |
Συχνότητα: |
/ |
Τρέχουσα εκτίμηση (Amps): |
/ |
Αριθμός θορύβου: |
/ |
Δύναμη - παραγωγή: |
/ |
- Που εκτιμάται τάση: |
/ |
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): |
2.5V, 10V |
Vgs (Max): |
±12V |
Τύπος IGBT: |
/ |
Διαμόρφωση: |
NA |
Vce (επάνω) (Max) @ Vge, ολοκληρωμένο κύκλωμα: |
/ |
Ικανότητα εισαγωγής (Cies) @ Vce: |
/ |
Εισαγωγή: |
/ |
Θερμική αντίσταση NTC: |
/ |
Τάση - διακοπή (Β (BR) GSS): |
/ |
Τρέχων - αγωγός (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Τρέχων αγωγός (ταυτότητα) - Max: |
/ |
Τάση - ταυτότητα διακοπών (VGS μακριά) @: |
/ |
Αντίσταση - RDS (επάνω): |
/ |
Τάση: |
/ |
Τάση - παραγωγή: |
/ |
Τάση - που αντισταθμίζεται (VT): |
/ |
Τρέχων - πύλη στη διαρροή ανόδων (Igao): |
/ |
Τρέχων - κοιλάδα (iv): |
/ |
Τρέχων - αιχμή: |
/ |
Εφαρμογές: |
/ |
Τύπος κρυσταλλολυχνιών: |
Τρανζίστορα ισχύος mrf150 rf |
Λιμάνι: |
Σενζέν |
SMD Transistor MOSFET N-Channel Sot-23 30V 4A AO3402A AO3402 Για προσφορά κατάλογος Bom
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!