Επισημαίνω:
Τύπος: |
MOSFET, IGBT τρανζίστορ |
Θερμοκρασία λειτουργίας: |
/ |
Σειρά: |
Τύπος |
Τύπος στερέωσης: |
Τύπος |
Περιγραφή: |
/ |
Δ/Κ: |
22+ |
Τύπος συσκευασίας: |
Επεξεργασία επιφανείας |
Εφαρμογή: |
ΔΙΟΔΗΣ ΣΚΟΤΚΙ |
Τύπος προμηθευτή: |
Άλλα |
Διασταυρούμενες αναφορές: |
Τύπος |
Διαθέσιμα μέσα: |
Άλλα |
Μάρκα: |
/ |
Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο): |
/ |
Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη): |
/ |
Vce κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: |
/ |
Τρέχων - Περιορισμός συλλέκτη (μέγιστο): |
/ |
Διορθωτικό μέτρο για την παρακολούθηση των διακυμάνσεων: |
/ |
Δύναμη - Max: |
/ |
Συχνότητα - Μεταβατική περίοδος: |
/ |
Πακέτο / Κουτί: |
/ |
Αντίσταση - Βάση (R1): |
/ |
Αντίσταση - βάση εκδότη (R2): |
/ |
Τύπος FET: |
/ |
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: |
Τύπος |
Τεχνική μέθοδος: |
/ |
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: |
/ |
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: |
/ |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
/ |
Τεχνική διάταξη: |
/ |
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: |
/ |
Συχνότητα: |
/ |
Διορισμός ρεύματος (άμπερες): |
/ |
Αριθμός θορύβου: |
/ |
Δύναμη - Απόδοση: |
/ |
Τεχνική διάταξη: |
/ |
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): |
/ |
Vgs (μέγιστο): |
/ |
Τύπος IGBT: |
/ |
Διαμόρφωση: |
Τύπος |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
/ |
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce: |
/ |
Εισαγωγή: |
/ |
Θερμοστήρας NTC: |
/ |
Τάση - διακοπή (Β (BR) GSS): |
/ |
Τρέχων - αγωγός (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Τρέχων αγωγός (ταυτότητα) - Max: |
/ |
Τάση - ταυτότητα διακοπών (VGS μακριά) @: |
/ |
Αντίσταση - RDS (επάνω): |
/ |
Τάση: |
/ |
Τεχνολογία: |
/ |
Τάση - που αντισταθμίζεται (VT): |
/ |
Τρέχων - πύλη στη διαρροή ανόδων (Igao): |
/ |
Τρέχων - κοιλάδα (iv): |
/ |
Τρέχων - αιχμή: |
/ |
Εφαρμογές: |
/ |
Τύπος τρανζίστορα: |
Τρανζίστορα ισχύος mrf150 rf |
Λιμάνι: |
Σενζέν |
SMD Schottky Διοδίος διορθωτή φραγμού Ss32 Sk34 Sk54smd Διοδίοι SS34 SS36 SS38 SS310
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!