Επισημαίνω:
Αριθμός μέρους κατασκευαστή: |
SDIN8DE2-16G |
Τύπος: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR |
Περιγραφή: |
E09A92GA |
Δυναμική τάση - Διακοπή: |
/ |
Συχνότητα - Αντικατάσταση: |
- |
Δύναμη (βάτ): |
- |
Θερμοκρασία λειτουργίας: |
- |
Τύπος στερέωσης: |
Μέσα από την τρύπα |
Η τάση - τροφοδοσία (min): |
- |
Τάση - Τροφοδοσία (Μέγιστη): |
- |
Τεχνολογία: |
- |
ρεύμα - έξοδος / κανάλι: |
- |
Συχνότητα: |
- |
Εφαρμογές: |
Τσιπ IC εκτυπωτή |
Τύπος FET: |
/ |
Τρέχων - Εξόδου (μέγιστος): |
700V |
Τρέχων - Προμήθεια: |
700V |
Πρόσθετη τάση: |
700V |
Συχνότητα - Μέγιστο: |
- |
Δύναμη - Max: |
- |
Ανεκτικότητα: |
- |
Λειτουργία: |
Τσιπ μνήμης flash PHONE 16GB |
Εφοδιασμός τάσης - Εσωτερική: |
- |
Συχνότητα - διακοπή ή κέντρο: |
- |
Τρέχων - διαρροή (ΕΙΝΑΙ (μακριά)) (Max): |
- |
Απομονωμένη δύναμη: |
- |
Τετάρτη: |
- |
ρεύμα - υψηλή και χαμηλή απόδοση: |
- |
Τρέχων - μέγιστη παραγωγή: |
- |
Τάση - διαβιβάστε (Vf) (τύπος): |
- |
Τρέχων - συνεχές ρεύμα μπροστινό (εάν) (Max): |
- |
Τύπος εισόδου: |
/ |
Τύπος εξόδου: |
/ |
Αναλογία τρέχουσας μεταφοράς (λ.): |
- |
Αναλογία τρέχουσας μεταφοράς (Max): |
/ |
Τεχνική μέθοδος: |
/ |
Τετάρτη: |
/ |
Στατικό dV/dt (λ.): |
/ |
Τρέχων - ώθηση των οδηγήσεων (Ift) (Max): |
/ |
Τρέχων - στο κράτος (αυτό (RMS)) (Max): |
/ |
Αντίσταση: |
/ |
Αντίσταση - Ανισορροπημένη/Αισορροπημένη: |
/ |
Συχνότητα LO: |
/ |
Συχνότητα ραδιοσυχνοτήτων: |
/ |
Σειρά εισαγωγής: |
/ |
ισχύς εξόδου: |
/ |
Ζώνες συχνότητας (χαμηλές/υψηλές): |
/ |
προδιαγραφές: |
/ |
Μέγεθος / διάσταση: |
/ |
Μοντάρωση ή πρωτόκολλο: |
/ |
Διασύνδεση: |
/ |
Δύναμη - Απόδοση: |
/ |
Μέγεθος μνήμης: |
16GB |
Πρωτόκολλο: |
/ |
Μοντάρωση: |
/ |
Τμηματικές διεπαφές: |
/ |
ΠΕΔΠ: |
/ |
Χρησιμοποιημένα ολοκληρωμένο κύκλωμα/μέρος: |
SDIN8DE2-16G |
Πρότυπα: |
/ |
Στυλ: |
/ |
Τύπος μνήμης: |
NAND FLASH EMMC EMCP LPDDR |
Writable μνήμη: |
εμ κ εμ κ |
Αντίσταση (Ω): |
/ |
Διασταυρούμενες αναφορές: |
/ |
Λιμάνι: |
Σενζέν |
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!