προϊόντα

Σπίτι > προϊόντα > ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΑ ΚΥΚΛΏΜΑΤΑ ROHM UTC > IRFB4110 IC MOSFET IRF 100V 120A έως 220AB IRFB4110 IRFB4110 PBF

Κατηγορίες

Ολοκληρωμένα κυκλώματα ηλεκτρονικών συστατικών

(57592)

Εθνικός ημιαγωγός της Texas Instruments

(1489)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

(258)

Κρυσταλλολυχνία τριόδων διόδων

(2061)

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΑ ΚΥΚΛΏΜΑΤΑ ROHM UTC

(2643)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα μικροτσίπ

(1079)

Αντίστοιχοι και Συμπιεστήρες

(3067)

Επαφές

Επαφές: Miss. Amy

Τηλ.: 86-180-3344-1064

Fax:

Επαφή τώρα

Μας ταχυδρομήστε

IRFB4110 IC MOSFET IRF 100V 120A έως 220AB IRFB4110 IRFB4110 PBF

Name: IRFB4110 IC MOSFET IRF 100V 120A έως 220AB IRFB4110 IRFB4110 PBF
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: IRFB4110
Price: 4.38 USD
Availability: InStock

Λεπτομέρειες προιόντος

Τόπος καταγωγής: Γκουανγκντόνγκ, Κίνα

Μάρκα: original

Αριθμό μοντέλου: IRFB4110

Όροι πληρωμής & ναυτιλίας

Ποσότητα παραγγελίας min: 10 κομμάτια

Τιμή: $0.38/pieces >=10 pieces

Συσκευασία λεπτομέρειες: Αντιστατική συσκευασία

Δυνατότητα προσφοράς: 1000 κομμάτια την εβδομάδα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Λεπτομέρειες προιόντος

Περιγραφή προϊόντων

Επισημαίνω:

Τύπος:	IC CHIP, Τριόδιο Τρανζίστορα, IGBT Τρανζίστορα	Θερμοκρασία λειτουργίας:	Επενδύσεις
Σειρά:	Τύπος	Τύπος στερέωσης:	Τύπος
Περιγραφή:	IRF4905PBF	Δ/Κ:	Νέο
Τύπος συσκευασίας:	Σε όλη την τρύπα	Εφαρμογή:	MOSFET
Τύπος προμηθευτή:	Άλλα	Διασταυρούμενες αναφορές:	Επενδύσεις
Διαθέσιμα μέσα:	φύλλο δεδομένων	Μάρκα:	Επενδύσεις
Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο):	Επενδύσεις	Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη):	Επενδύσεις
Vce κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:	Επενδύσεις	Τρέχων - Περιορισμός συλλέκτη (μέγιστο):	Επενδύσεις
Διορθωτικό μέτρο για την παρακολούθηση των διακυμάνσεων:	Επενδύσεις	Δύναμη - Max:	Επενδύσεις
Συχνότητα - Μεταβατική περίοδος:	Επενδύσεις	Πακέτο / Κουτί:	Επενδύσεις
Αντίσταση - Βάση (R1):	Επενδύσεις	Αντίσταση - βάση εκδότη (R2):	Επενδύσεις
Τύπος FET:	Επενδύσεις	Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET:	Τύπος
Τεχνική μέθοδος:	Επενδύσεις	ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:	Επενδύσεις
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs:	Επενδύσεις	Vgs(th) (Max) @ Id:	Επενδύσεις
Τεχνική διάταξη:	Επενδύσεις	Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds:	NA
Συχνότητα:	Επενδύσεις	Διορισμός ρεύματος (άμπερες):	Επενδύσεις
Αριθμός θορύβου:	Επενδύσεις	Δύναμη - Απόδοση:	Επενδύσεις
Τεχνική διάταξη:	Επενδύσεις	Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω):	Επενδύσεις
Vgs (μέγιστο):	Επενδύσεις	Τύπος IGBT:	Επενδύσεις
Διαμόρφωση:	Τύπος	Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	Επενδύσεις
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce:	Επενδύσεις	Εισαγωγή:	Επενδύσεις
Θερμοστήρας NTC:	Επενδύσεις	Τάση - διακοπή (Β (BR) GSS):	Επενδύσεις
Τρέχων - αγωγός (Idss) @ Vds (Vgs=0):	Επενδύσεις	Τρέχων αγωγός (ταυτότητα) - Max:	Επενδύσεις
Τάση - ταυτότητα διακοπών (VGS μακριά) @:	Επενδύσεις	Αντίσταση - RDS (επάνω):	Επενδύσεις
Τάση:	Επενδύσεις	Τεχνολογία:	Επενδύσεις
Τάση - που αντισταθμίζεται (VT):	Επενδύσεις	Τρέχων - πύλη στη διαρροή ανόδων (Igao):	Επενδύσεις
Τρέχων - κοιλάδα (iv):	Επενδύσεις	Τρέχων - αιχμή:	Επενδύσεις
Εφαρμογές:	Επενδύσεις	Τύπος τρανζίστορα:	Τρανζίστορα ισχύος mrf150 rf
Λιμάνι:	Σενζέν

Τύπος:	IC CHIP, Τριόδιο Τρανζίστορα, IGBT Τρανζίστορα
Θερμοκρασία λειτουργίας:	Επενδύσεις
Σειρά:	Τύπος
Τύπος στερέωσης:	Τύπος
Περιγραφή:	IRF4905PBF
Δ/Κ:	Νέο
Τύπος συσκευασίας:	Σε όλη την τρύπα
Εφαρμογή:	MOSFET
Τύπος προμηθευτή:	Άλλα
Διασταυρούμενες αναφορές:	Επενδύσεις
Διαθέσιμα μέσα:	φύλλο δεδομένων
Μάρκα:	Επενδύσεις
Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο):	Επενδύσεις
Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη):	Επενδύσεις
Vce κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:	Επενδύσεις
Τρέχων - Περιορισμός συλλέκτη (μέγιστο):	Επενδύσεις
Διορθωτικό μέτρο για την παρακολούθηση των διακυμάνσεων:	Επενδύσεις
Δύναμη - Max:	Επενδύσεις
Συχνότητα - Μεταβατική περίοδος:	Επενδύσεις
Πακέτο / Κουτί:	Επενδύσεις
Αντίσταση - Βάση (R1):	Επενδύσεις
Αντίσταση - βάση εκδότη (R2):	Επενδύσεις
Τύπος FET:	Επενδύσεις
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET:	Τύπος
Τεχνική μέθοδος:	Επενδύσεις
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C:	Επενδύσεις
Επικεφαλής (Max) @ Id, Vgs:	Επενδύσεις
Vgs(th) (Max) @ Id:	Επενδύσεις
Τεχνική διάταξη:	Επενδύσεις
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds:	NA
Συχνότητα:	Επενδύσεις
Διορισμός ρεύματος (άμπερες):	Επενδύσεις
Αριθμός θορύβου:	Επενδύσεις
Δύναμη - Απόδοση:	Επενδύσεις
Τεχνική διάταξη:	Επενδύσεις
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω):	Επενδύσεις
Vgs (μέγιστο):	Επενδύσεις
Τύπος IGBT:	Επενδύσεις
Διαμόρφωση:	Τύπος
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:	Επενδύσεις
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce:	Επενδύσεις
Εισαγωγή:	Επενδύσεις
Θερμοστήρας NTC:	Επενδύσεις
Τάση - διακοπή (Β (BR) GSS):	Επενδύσεις
Τρέχων - αγωγός (Idss) @ Vds (Vgs=0):	Επενδύσεις
Τρέχων αγωγός (ταυτότητα) - Max:	Επενδύσεις
Τάση - ταυτότητα διακοπών (VGS μακριά) @:	Επενδύσεις
Αντίσταση - RDS (επάνω):	Επενδύσεις
Τάση:	Επενδύσεις
Τεχνολογία:	Επενδύσεις
Τάση - που αντισταθμίζεται (VT):	Επενδύσεις
Τρέχων - πύλη στη διαρροή ανόδων (Igao):	Επενδύσεις
Τρέχων - κοιλάδα (iv):	Επενδύσεις
Τρέχων - αιχμή:	Επενδύσεις
Εφαρμογές:	Επενδύσεις
Τύπος τρανζίστορα:	Τρανζίστορα ισχύος mrf150 rf
Λιμάνι:	Σενζέν

IRFB4110 IC MOSFET IRF 100V 120A έως 220AB IRFB4110 IRFB4110 PBF

Εταιρεία τεχνολογίας Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Καλώς ήρθατε στην εταιρεία μας. Είμαστε η ολοκληρωμένη πηγή ηλεκτρονικών εξαρτημάτων. Η εμπειρία μας έγκειται στην παροχή μιας μεγάλης ποικιλίας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων για να ανταποκρίνονται στις διαφορετικές απαιτήσεις σας.Εμείς προσφορές:- Ημιαγωγοί: μικροελεγκτές, τρανζίστορες, διόδους, ολοκληρωμένα κυκλώματα (IC) - Παθητικά συστατικά: αντίσταση, πυκνωτές, επαγωγείς, συνδετήρες - Ηλεκτρομηχανικά συστατικά: διακόπτες,αναμεταδιδαστές, ενεργοποιητές αισθητήρων - Τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας: ρυθμιστές τάσης, μετατροπείς ισχύος, διαχείριση μπαταριών - Οπτοηλεκτρονική: LED, λέιζερ, φωτοδιόδια, οπτικοί αισθητήρες - RF και ασύρματα εξαρτήματα: μονάδες RF,Αντενές, ασύρματη επικοινωνία - Αισθητήρες: αισθητήρες θερμοκρασίας, αισθητήρες κίνησης, αισθητήρες περιβάλλοντος.

Τύπος: ολοκληρωμένα κυκλώματα Ηλεκτρονικά εξαρτήματα

DC22+

MOQ:1pc

Πακέτο: Κανονικό

Η γκάμα των λειτουργικών τσιπ είναι ευρεία και καλύπτει πολλούς διαφορετικούς τομείς εφαρμογής, όπως επικοινωνίες, επεξεργασία εικόνας, έλεγχο αισθητήρων, επεξεργασία ήχου, διαχείριση ενέργειας και άλλα.

Τσιπς τύπου έχουμε
Συμπλέγματα Ηλεκτρονικά εξαρτήματα	Συγκριτικά διακόσμια κύτταρα	Κωδικοποιητής-Αποκωδικοποιητής	Συμπλέκτες αφής
Κύκλοι διασύνδεσης αναφοράς τάσης	Ενεργοποιητής	Επαναφορά ανιχνευτή IC	Δυναμικό ενισχυτή IC
IC επεξεργασίας υπέρυθρου	Τσιπ διεπαφής	Τσιπ Bluetooth	Μπουστ και Μπακ Τσιπς
Τσιπάκια βάσης χρόνου	Τσιπάκια επικοινωνίας ρολογιού	Διακλαδιστής διασύνδεσης	Ασύρματο κυκλικό διαδίκτυο ραδιοσυχνοτήτων
Αντίσταση τσιπ	Τσιπ αποθήκευσης 2	Τσιπ Ethernet	Συμπλέγματα Ηλεκτρονικά εξαρτήματα

Tags:

Συστατικά IC οδηγού LED SPD2-E9CD-XXXWW-LED1100 Μία στάση Ηλεκτρονικά εξαρτήματα Bom List Kitting Service Ic Connectors Matching

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Ολοκληρωμένα κυκλώματα ηλεκτρονικών συστατικών

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΑ ΚΥΚΛΏΜΑΤΑ ΤΟΥ ST

RENESAS ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟ ΚΎΚΛΩΜΑ

Αναλογικές συσκευές ADI

Εθνικός ημιαγωγός της Texas Instruments

Στον ημιαγωγό θλφαηρθχηλδ

Ελεύθερος ημιαγωγός

Ολοκληρωμένο κύκλωμα Vishay

Ηλεκτρονικά τμήματα Infineon

Ολοκληρωμένο κύκλωμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟ ΚΎΚΛΩΜΑ AOS

Ηλεκτρονικά τμήματα Atmel

Τσιπ Altera

Ολοκληρωμένο κύκλωμα Xilinx

Μικροελεγκτής MCU

Μικρό ISSI Samsung

Κρυσταλλολυχνία τριόδων διόδων

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΑ ΚΥΚΛΏΜΑΤΑ ROHM UTC

Ολοκληρωμένο κύκλωμα μικροτσίπ

Αντίστοιχοι και Συμπιεστήρες

IRFB4110 IC MOSFET IRF 100V 120A έως 220AB IRFB4110 IRFB4110 PBF

Εταιρεία τεχνολογίας Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

Διπολικά ολοκληρωμένα κυκλώματα κρυσταλλολυχνιών ROHM UTC,

Κρυσταλλολυχνία ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ROHM UTC διπολική,

Ολοκληρωμένα κυκλώματα ηλεκτρονικών συστατικών

ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΑ ΚΥΚΛΏΜΑΤΑ ΤΟΥ ST

RENESAS ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΈΝΟ ΚΎΚΛΩΜΑ

Αναλογικές συσκευές ADI

Εθνικός ημιαγωγός της Texas Instruments

Στον ημιαγωγό θλφαηρθχηλδ

Ελεύθερος ημιαγωγός