Επισημαίνω:
Τύπος: |
Τσιπ IC, Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου, Τρανζίστορα IGBT |
Θερμοκρασία λειτουργίας: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Σειρά: |
/ |
Τύπος στερέωσης: |
Μέσα από την τρύπα |
Περιγραφή: |
/ |
D/C: |
22+ |
Τύπος συσκευασίας: |
Σε όλη την τρύπα |
Εφαρμογή: |
Τρανζίστορα irf |
Τύπος προμηθευτή: |
Άλλα |
Παραπομπή: |
Νέο |
Μέσα διαθέσιμα: |
Άλλα |
Ετικέτα: |
MOSFET P-CH 200V 11A έως 220AB |
Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max): |
, |
Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, ολοκληρωμένο κύκλωμα: |
, |
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ΣΥΝΕΧΟΥΣ τρέχον κέρδους (hFE) (λ.) @, Vce: |
, |
Πακέτο / Κουτί: |
ΤΟ-220-3 |
Αντιστάτης - βάση (R1): |
, |
Αντιστάτης - βάση εκπομπών (R2): |
, |
Τύπος FET: |
P-Channel |
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: |
Τύπος |
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss): |
200V |
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C: |
11A (TC) |
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: |
500mOhm @ 6,6A, 10V |
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @: |
4V @ 250UA |
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs: |
44nC @ 10V |
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds: |
1200pF @ 25V |
Συχνότητα: |
, |
Τρέχουσα εκτίμηση (Amps): |
, |
Αριθμός θορύβου: |
, |
Δύναμη - παραγωγή: |
, |
- Που εκτιμάται τάση: |
, |
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): |
10V |
Vgs (Max): |
±20V |
Τύπος IGBT: |
, |
Διαμόρφωση: |
/ |
Vce (επάνω) (Max) @ Vge, ολοκληρωμένο κύκλωμα: |
, |
Ικανότητα εισαγωγής (Cies) @ Vce: |
, |
Εισαγωγή: |
, |
Θερμική αντίσταση NTC: |
, |
Τάση - διακοπή (Β (BR) GSS): |
, |
Τρέχων - αγωγός (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Τρέχων αγωγός (ταυτότητα) - Max: |
, |
Τάση - ταυτότητα διακοπών (VGS μακριά) @: |
/ |
Αντίσταση - RDS (επάνω): |
, |
Τετάρτη: |
, |
Τάση - παραγωγή: |
, |
Τάση - που αντισταθμίζεται (VT): |
, |
Τρέχων - πύλη στη διαρροή ανόδων (Igao): |
, |
Τρέχων - κοιλάδα (iv): |
, |
Τρέχων - αιχμή: |
, |
Εφαρμογές: |
, |
Τύπος κρυσταλλολυχνιών: |
Τρανζίστορα ισχύος mrf150 rf |
Λιμάνι: |
Σενζέν |
Νέος και πρωτότυπος N-Channel Τρανζίστορας 200V 18A έως 220AB IRF640PBF IRF640
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!