Επισημαίνω:
Τύπος: |
ic, Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου, Τρανζίστορα IGBT |
Θερμοκρασία λειτουργίας: |
-55 °C ~ 150 °C (TJ) |
Σειρά: |
/ |
Τύπος στερέωσης: |
Μέσα από την τρύπα |
Περιγραφή: |
/ |
Δ/Κ: |
22+ |
Τύπος συσκευασίας: |
Σε όλη την τρύπα |
Εφαρμογή: |
Τρανζίστορα irf |
Τύπος προμηθευτή: |
Άλλα |
Διασταυρούμενες αναφορές: |
Νέο |
Διαθέσιμα μέσα: |
Άλλα |
Μάρκα: |
MOSFET P-CH 200V 11A έως 220AB |
Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη): |
, |
Vce κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: |
, |
Διορθωτικό μέτρο για την παρακολούθηση των διακυμάνσεων: |
, |
Πακέτο / Κουτί: |
ΤΟ-220-3 |
Αντίσταση - Βάση (R1): |
, |
Αντίσταση - βάση εκδότη (R2): |
, |
Τύπος FET: |
P-Channel |
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: |
Τύπος |
Τεχνική μέθοδος: |
200V |
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: |
11A (TC) |
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: |
500mOhm @ 6,6A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
4V @ 250UA |
Τεχνική διάταξη: |
44nC @ 10V |
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: |
1200pF @ 25V |
Συχνότητα: |
, |
Διορισμός ρεύματος (άμπερες): |
, |
Αριθμός θορύβου: |
, |
Δύναμη - Απόδοση: |
, |
Τεχνική διάταξη: |
, |
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): |
10V |
Vgs (μέγιστο): |
±20V |
Τύπος IGBT: |
, |
Διαμόρφωση: |
/ |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
, |
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce: |
, |
Εισαγωγή: |
, |
Θερμοστήρας NTC: |
, |
Τάση - διακοπή (Β (BR) GSS): |
, |
Τρέχων - αγωγός (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Τρέχων αγωγός (ταυτότητα) - Max: |
, |
Τάση - ταυτότητα διακοπών (VGS μακριά) @: |
/ |
Αντίσταση - RDS (επάνω): |
, |
Τάση: |
, |
Τεχνολογία: |
, |
Τάση - που αντισταθμίζεται (VT): |
, |
Τρέχων - πύλη στη διαρροή ανόδων (Igao): |
, |
Τρέχων - κοιλάδα (iv): |
, |
Τρέχων - αιχμή: |
, |
Εφαρμογές: |
, |
Τύπος τρανζίστορα: |
Τρανζίστορα ισχύος mrf150 rf |
Λιμάνι: |
Σενζέν |
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!