Επισημαίνω:
Τύπος: |
Τσιπ IC, Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου, Τρανζίστορα IGBT |
Θερμοκρασία λειτουργίας: |
-40 °C ~ 150 °C (TJ) |
Σειρά: |
/ |
Τύπος στερέωσης: |
Μέσα από την τρύπα |
Περιγραφή: |
/ |
Δ/Κ: |
22+ |
Τύπος συσκευασίας: |
Σε όλη την τρύπα |
Εφαρμογή: |
Τύπος |
Τύπος προμηθευτή: |
Άλλα |
Διασταυρούμενες αναφορές: |
Νέο |
Διαθέσιμα μέσα: |
Άλλα |
Μάρκα: |
Διάταξη 1 |
Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο): |
1.5Α |
Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη): |
400V |
Vce κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: |
1.5V @ 500mA, 1.5A |
Τρέχων - Περιορισμός συλλέκτη (μέγιστο): |
1mA |
Διορθωτικό μέτρο για την παρακολούθηση των διακυμάνσεων: |
5 @ 1A, 2V |
Δύναμη - Max: |
40W |
Συχνότητα - Μεταβατική περίοδος: |
Τύπος |
Πακέτο / Κουτί: |
-225AA, -126-3 |
Αντίσταση - Βάση (R1): |
/ |
Αντίσταση - βάση εκδότη (R2): |
/ |
Τύπος FET: |
/ |
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: |
Τύπος |
Τεχνική μέθοδος: |
/ |
ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25°C: |
/ |
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: |
/ |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
/ |
Τεχνική διάταξη: |
/ |
Δυνατότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: |
/ |
Συχνότητα: |
/ |
Διορισμός ρεύματος (άμπερες): |
/ |
Αριθμός θορύβου: |
/ |
Δύναμη - Απόδοση: |
/ |
Τεχνική διάταξη: |
/ |
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): |
/ |
Vgs (μέγιστο): |
/ |
Τύπος IGBT: |
/ |
Διαμόρφωση: |
/ |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
/ |
Δυνατότητα εισόδου (Cies) @ Vce: |
/ |
Εισαγωγή: |
/ |
Θερμοστήρας NTC: |
/ |
Τάση - διακοπή (Β (BR) GSS): |
/ |
Τρέχων - αγωγός (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Τρέχων αγωγός (ταυτότητα) - Max: |
/ |
Τάση - ταυτότητα διακοπών (VGS μακριά) @: |
/ |
Αντίσταση - RDS (επάνω): |
/ |
Τάση: |
/ |
Τεχνολογία: |
/ |
Τάση - που αντισταθμίζεται (VT): |
/ |
Τρέχων - πύλη στη διαρροή ανόδων (Igao): |
/ |
Τρέχων - κοιλάδα (iv): |
/ |
Τρέχων - αιχμή: |
/ |
Εφαρμογές: |
/ |
Τύπος τρανζίστορα: |
Τρανζίστορα ισχύος mrf150 rf |
Λιμάνι: |
Σενζέν |
MOSFET P-Channel 75V 130A έως 220AB Irf1407pbf Irf1407
Το μήνυμά σας πρέπει να αποτελείται από 20-3.000 χαρακτήρες!