logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
greek
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
απόσπασμα
προϊόντα
προϊόντα
Σπίτι > προϊόντα > Μικρό ISSI Samsung > ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π

Λεπτομέρειες προιόντος

Τόπος καταγωγής: ΗΠΑ

Μάρκα: Micron

Αριθμό μοντέλου: MT41K256M16TW-107 ΑΥΤΟ: Π

Όροι πληρωμής & ναυτιλίας

Ποσότητα παραγγελίας min: 1

Τιμή: 0.98-5.68/PC

Συσκευασία λεπτομέρειες: Standrad

Όροι πληρωμής: D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Δυνατότητα προσφοράς: 10000PCS την εβδομάδα

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

Μικρό ISSI Samsung Merrillchip

,

Μικρό ISSI Samsung DRAM 4GBIT

,

4GBIT mt41k256m16tw 107 αυτό π

Κατηγορία προϊόντων:
Μικρόνια
Σειρά:
MT41K256M16TW-107 ΑΥΤΟ: Π
Στυλ εγκατάστασης:
Επενδύσεις
Πακέτο / Κουτί:
Tqfp-64
Κέντρο:
ΑΕΠ
Μέγεθος μνήμης προγράμματος:
16 KB
Διάμετρος λεωφορείου δεδομένων:
8 bit
Ψήφισμα της ΠΑΧ:
10 μπιτ
Μέγιστη συχνότητα ρολογιού:
16 MHz
Αριθμός Ε/Ε:
54 I/O
Μέγεθος RAM στοιχείων:
1 KB
Η τάση τροφοδοσίας - Min:
1.8 Β
Τετάρτη, Ιανουαρίου:
5.5 Β
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
- 40 C.
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 85 C
Συσκευή:
MouseReel
εμπορικό σήμα:
Μικρό
Τύπος RAM στοιχείων:
SRAM
Μέγεθος στοιχείων ROM:
512 Β
Κατηγορία προϊόντων:
Μικρόνια
Σειρά:
MT41K256M16TW-107 ΑΥΤΟ: Π
Στυλ εγκατάστασης:
Επενδύσεις
Πακέτο / Κουτί:
Tqfp-64
Κέντρο:
ΑΕΠ
Μέγεθος μνήμης προγράμματος:
16 KB
Διάμετρος λεωφορείου δεδομένων:
8 bit
Ψήφισμα της ΠΑΧ:
10 μπιτ
Μέγιστη συχνότητα ρολογιού:
16 MHz
Αριθμός Ε/Ε:
54 I/O
Μέγεθος RAM στοιχείων:
1 KB
Η τάση τροφοδοσίας - Min:
1.8 Β
Τετάρτη, Ιανουαρίου:
5.5 Β
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
- 40 C.
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 85 C
Συσκευή:
MouseReel
εμπορικό σήμα:
Μικρό
Τύπος RAM στοιχείων:
SRAM
Μέγεθος στοιχείων ROM:
512 Β
ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π

Merrillchip Ζεστή πώληση IC chips IC DRAM 4GBIT PARALLEL Ενσωματωμένο κύκλωμα Flash μνήμη EEPROM DDR EMMC MT41K256M16TW-107 IΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 0

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 1

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 2

ΜΜΕ:Μεταφορές
Η DDR3 SDRAM χρησιμοποιεί μια αρχιτεκτονική διπλής ταχύτητας δεδομένων για την επίτευξη λειτουργίας υψηλής ταχύτητας.
Αρχιτεκτονική 8n-prefetch με διεπαφή σχεδιασμένη για τη μεταφορά δύο λέξεων δεδομένων ανά κύκλο ρολογιού στις πινές I/O.
Μια ενιαία λειτουργία ανάγνωσης ή εγγραφής για τη DDR3 SDRAM συνίσταται ουσιαστικά σε μια ενιαία μεταφορά δεδομένων 8n-bit, τετραωρολογικού κύκλου
Η μέθοδος αυτή χρησιμοποιείται για την επεξεργασία των δεδομένων που διατίθενται στο εσωτερικό πυρήνα DRAM και οκτώ αντίστοιχες n-bit-wide, ένα μισοωρολογικό κύκλο μεταφοράς δεδομένων στις πινές I/O.
Διαφορετικό στροβίδιο δεδομένων (DQS, DQS#) μεταδίδεται εξωτερικά, μαζί με τα δεδομένα, για χρήση στη συλλογή δεδομένων στην είσοδο DDR3 SDRAM
Το DQS είναι ευθυγραμμισμένο με τα δεδομένα για τις WRITE.
Παρασκευαστής:
Τεχνολογία Μικρών
 
Κατηγορία προϊόντος:
DRAM
 
RoHS:
Λεπτομέρειες
 
Τύπος:
SDRAM - DDR3L
 
Στυλ τοποθέτησης:
Επενδύσεις
 
Συσκευή / Κουτί:
FBGA-96
 
Διάμετρος λεωφορείου δεδομένων:
16 bit
 
Οργάνωση:
256 M x 16
 
Μέγεθος μνήμης:
4 Gbit
 
Μέγιστη συχνότητα ρολογιού:
933 MHz
 
Χρόνος πρόσβασης:
20 ns
 
Τρόπος παροχής τάσης - Max:
1.45 Β.
 
Η τάση τροφοδοσίας - Min:
1.283 V
 
Τρόπος τροφοδοσίας - Max:
46 mA
 
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
- 40 C.
 
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
+ 95 C
 
Σειρά:
MT41Κ
 
Συσκευή:
Τραπέζι
 
Ετικέτα:
Μικρόνια
 
Ευαίσθητος στην υγρασία:
- Ναι, ναι.
 
Τύπος προϊόντος:
DRAM
 
Ποσότητα της εργοστασιακής συσκευασίας:
1224
 
Υποκατηγορία:
Μνήμη και αποθήκευση δεδομένων
 
Μονάδα βάρους:
0.128468 ουγγιές
ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 3

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 4

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 5

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 6

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 7

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 8

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 9ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 10

 

Γενικές ερωτήσεις

Ε1:Σχετικά με την προσφορά του IC BOM;
Η εταιρεία διαθέτει τα κανάλια προμηθειών των αρχικών κατασκευαστών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων στο εσωτερικό και στο εξωτερικό και μια επαγγελματική ομάδα ανάλυσης λύσεων προϊόντων για την επιλογή υψηλής ποιότητας,ηλεκτρονικά εξαρτήματα χαμηλού κόστους για τους πελάτες.
Ε2:Παροχή για λύσεις PCB και PCBA;
Α2: Η επαγγελματική ομάδα της εταιρείας θα αναλύσει το εύρος εφαρμογής των λύσεων PCB και PCBA που παρέχονται από τον πελάτη και τις απαιτήσεις παραμέτρων κάθε ηλεκτρονικού εξαρτήματος,και τελικά να παρέχει στους πελάτες λύσεις προσφορών υψηλής ποιότητας και χαμηλού κόστους.
Ε3:Σχετικά με το σχεδιασμό του τσιπ στο τελικό προϊόν;
Α3: Έχουμε ένα πλήρες σύνολο σχεδιασμού πλακιδίων, παραγωγής πλακιδίων, δοκιμών πλακιδίων, συσκευασίας και ενσωμάτωσης IC και υπηρεσιών επιθεώρησης προϊόντων IC.
Ε: Η εταιρεία μας έχει ελάχιστη απαίτηση ποσότητας παραγγελίας (MOQ);
Α4: Όχι, δεν έχουμε απαίτηση MOQ, μπορούμε να υποστηρίξουμε τα έργα σας, ξεκινώντας από πρωτότυπα έως μαζικές παραγωγές.
Ε5:Πώς διασφαλίζεται ότι δεν διαρρέουν πληροφορίες για τους πελάτες;
Α5: Είμαστε πρόθυμοι να υπογράψουμε την ισχύ της NDA από την πλευρά του πελάτη τοπικό δίκαιο και υπόσχονται να κρατήσουν τα δεδομένα των πελατών σε υψηλό επίπεδο εμπιστευτικότητας.
ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 11
Παρόμοια προϊόντα