logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
προϊόντα
προϊόντα
Σπίτι > προϊόντα > Μικρό ISSI Samsung > ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π

Λεπτομέρειες προιόντος

Τόπος καταγωγής: ΗΠΑ

Μάρκα: Micron

Αριθμό μοντέλου: MT41K256M16TW-107 ΑΥΤΟ: Π

Όροι πληρωμής & ναυτιλίας

Ποσότητα παραγγελίας min: 1

Τιμή: 0.98-5.68/PC

Συσκευασία λεπτομέρειες: STANDRAD

Όροι πληρωμής: D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Δυνατότητα προσφοράς: 10000PCS ΤΗΝ ΕΒΔΟΜΑΔΑ

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

Μικρό ISSI Samsung Merrillchip

,

Μικρό ISSI Samsung DRAM 4GBIT

,

4GBIT mt41k256m16tw 107 αυτό π

Κατηγορία προϊόντων:
Μικρό
Σειρά:
MT41K256M16TW-107 ΑΥΤΟ: Π
Τοποθετώντας ύφος:
SMD/SMT
Συσκευασία/περίπτωση:
Tqfp-64
Πυρήνας:
AVR
Μέγεθος μνήμης προγράμματος:
16 KB
Πλάτος λεωφορείων στοιχείων:
οκτάμπιτος
Ψήφισμα της ΠΑΧ:
10 μπιτ
Μέγιστη συχνότητα ρολογιών:
16 MHZ
Αριθμός του I/Os:
54 I/O
Μέγεθος RAM στοιχείων:
1 KB
Τάση ανεφοδιασμού - λ.:
1.8 Β
Τάση ανεφοδιασμού - Max:
5.5 Β
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
- 40 Γ
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
+ 85 Γ
συσκευασία:
MouseReel
εμπορικό σήμα:
Μικρό
Τύπος RAM στοιχείων:
SRAM
Μέγεθος στοιχείων ROM:
512 Β
Κατηγορία προϊόντων:
Μικρό
Σειρά:
MT41K256M16TW-107 ΑΥΤΟ: Π
Τοποθετώντας ύφος:
SMD/SMT
Συσκευασία/περίπτωση:
Tqfp-64
Πυρήνας:
AVR
Μέγεθος μνήμης προγράμματος:
16 KB
Πλάτος λεωφορείων στοιχείων:
οκτάμπιτος
Ψήφισμα της ΠΑΧ:
10 μπιτ
Μέγιστη συχνότητα ρολογιών:
16 MHZ
Αριθμός του I/Os:
54 I/O
Μέγεθος RAM στοιχείων:
1 KB
Τάση ανεφοδιασμού - λ.:
1.8 Β
Τάση ανεφοδιασμού - Max:
5.5 Β
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
- 40 Γ
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
+ 85 Γ
συσκευασία:
MouseReel
εμπορικό σήμα:
Μικρό
Τύπος RAM στοιχείων:
SRAM
Μέγεθος στοιχείων ROM:
512 Β
ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π

Το καυτό ολοκληρωμένο κύκλωμα πώλησης Merrillchip πελεκά την ΠΑΡΆΛΛΗΛΗ αστραπιαία σκέψη EEPROM ΟΔΓ EMMC MT41K256M16TW-107 Ι ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBITΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 0

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 1

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 2

MT41K256M16TW-107 ΑΥΤΟ: Π
DDR3 SDRAM χρησιμοποιεί μια διπλή αρχιτεκτονική ποσοστού στοιχείων για να επιτύχει τη μεγάλη λειτουργία. Η διπλή αρχιτεκτονική ποσοστού στοιχείων είναι
8n-prefetch αρχιτεκτονική με μια διεπαφή που σχεδιάζεται στη μεταφορά δύο λέξεις στοιχείων ανά κύκλο ρολογιών στις I/O καρφίτσες.
Ενιαία διαβασμένη ή γράφει ότι η λειτουργία για το DDR3 SDRAM αποτελείται αποτελεσματικά από ενιαίο έναν 8n-κομμάτι-ευρύ, μεταφορά δεδομένων κύκλων τέσσερις-ρολογιών
στον εσωτερικό πυρήνα και οκτώ DRAM που αντιστοιχούν ν-κομμάτι-ευρέως, μεταφορές δεδομένων ενός - κατά το ήμισυ - ρολόι-κύκλου στις I/O καρφίτσες.
το διαφορικό στροβοσκόπιο στοιχείων (DQS, DQS#) διαβιβάζεται εξωτερικά, μαζί με τα στοιχεία, για τη χρήση στη συλλογή δεδομένων στην εισαγωγή DDR3 SDRAM
δέκτης. DQS κέντρο-ευθυγραμμίζεται με τα στοιχεία για γράφει.
Κατασκευαστής:
Τεχνολογία μικρού
Κατηγορία προϊόντων:
DRAM
RoHS:
Λεπτομέρειες
Τύπος:
SDRAM - DDR3L
Τοποθετώντας ύφος:
SMD/SMT
Συσκευασία/περίπτωση:
Fbga-96
Πλάτος λεωφορείων στοιχείων:
δεκαεξάμπιτος
Οργάνωση:
256 Μ Χ 16
Μέγεθος μνήμης:
4 Gbit
Μέγιστη συχνότητα ρολογιών:
933 MHZ
Χρόνος πρόσβασης:
20 NS
Τάση ανεφοδιασμού - Max:
1.45 Β
Τάση ανεφοδιασμού - λ.:
1.283 Β
Ρεύμα ανεφοδιασμού - Max:
46 μΑ
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
- 40 Γ
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
+ 95 Γ
Σειρά:
MT41K
Συσκευασία:
Δίσκος
Εμπορικό σήμα:
Μικρό
Υγρασία ευαίσθητη:
Ναι
Τύπος προϊόντων:
DRAM
Ποσότητα πακέτων εργοστασίων:
1224
Υποκατηγορία:
Αποθήκευση μνήμης & στοιχείων
Βάρος μονάδων:
0,128468 oz
ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 3

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 4

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 5

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 6

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 7

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 8

ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 9ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 10

FAQ

Q1: Περίπου η αναφορά του ολοκληρωμένου κυκλώματος BOM;
Α1: Η επιχείρηση έχει τα κανάλια προμήθειας των αρχικών κατασκευαστών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων στο εσωτερικό και στο εξωτερικό και μιας επαγγελματικής ομάδας ανάλυσης λύσης προϊόντων για να επιλέξει τα υψηλής ποιότητας, χαμηλού κόστους ηλεκτρονικά τμήματα για τους πελάτες.
Q2: Αναφορά για τις λύσεις PCB και PCBA;
A2: Η επαγγελματική ομάδα της επιχείρησης θα αναλύσει τη σειρά εφαρμογής των λύσεων PCB και PCBA που παρέχονται από τον πελάτη και τις απαιτήσεις παραμέτρου κάθε ηλεκτρονικού συστατικού, και θα παράσχει τελικά στους πελάτες τις υψηλής ποιότητας και χαμηλού κόστους λύσεις αναφοράς.
Q3: Περίπου σχέδιο τσιπ στο ολοκληρωμένο προϊόν;
A3: Έχουμε ένα πλήρες σύνολο σχεδίου γκοφρετών, παραγωγής γκοφρετών, δοκιμής γκοφρετών, συσκευασίας και ολοκλήρωσης ολοκληρωμένου κυκλώματος, και υπηρεσιών επιθεώρησης προϊόντων ολοκληρωμένου κυκλώματος.
Q4: Η επιχείρησή μας έχει μια ελάχιστη απαίτηση ποσότητας διαταγής (MOQ);
A4: Όχι, δεν έχουμε την απαίτηση MOQ, μπορούμε να υποστηρίξουμε τα έργα σας που αρχίζουν από τα πρωτότυπα στις μαζικές παραγωγές.
Q5: Πώς να εξασφαλίσει ότι πληροφορία πελάτη δεν διαρρέεται;
A5: Είμαστε πρόθυμοι να υπογράψουμε την επίδραση NDA με τοπικό νόμο και την υπόσχεση πελατών το δευτερεύοντα να κρατήσουν τα στοιχεία πελατών στο υψηλό εμπιστευτικό επίπεδο.
ΠΑΡΑΛΛΗΛΗ ΤΠ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 μικρού ISSI Samsung Merrillchip: Π 11
Παρόμοια προϊόντα